1、万用表RXI低阻挡，两表笔任意接可控硅两个主电极，再用黑表笔点触一下可控硅触发极再离开，可控硅立即导通（万用表显示电阻减小），移开触发极，可控硅仍然保持导通不变（万用表读数维持没变）。

2、反向测量，对调万用表红、黑表笔测量可控硅两个主电极，黑表笔再触碰一下可控硅控制极一下再离开，可控硅被触发导通------测量过程同第1次，只是调换了可控硅两个主电极的方向测量了可控硅反向导通和维持导通的能力。

以上测量原理，实际是用万用表电阻档的电池，给可控硅加上了【正向电压】不动，再给可控硅触发极也【点触发】了一下正极电压，看看可控硅能不能导通、能不能维持导通状态。

如果你的万用表电阻档使用的电压比较高，也可以用捏黑表笔的湿手指尖，点碰一下触发极，可控硅同样会导通，缩回手指，同样能维持，这样通过手指去触发可控硅，比直接短路触发安全有方便，这方法和测量晶体管放电能力、用手指加正偏压的操作方法完全一样，只是触发可控硅的手指尖离开触发极后，可控硅仍然维持在导通状态而已。